微影装置及器件制造方法

摘要

本发明揭示一种用于侦测由大体上延伸于一第一方向之至少一线所形成之一经延伸图案之一性质的侦测方法。该经延伸图案形成于一基板上或一基板台上，且较佳地延伸遍及该线之宽度之至少50倍的一长度。该经延伸图案为焦点敏感的。该侦测方法包括在一第一方向上移动该基板台，及沿着该第一方向而量测该经延伸图案之一性质。该性质可为在垂直于该第一方向之一第二方向上该经延伸图案之一物理性质的一结果。在一下一步骤中，可自该经延伸图案之经量测位置导出基板台位置之一校准。

主权项

一种用于校准(calibrating)一微影装置之一平台(stage)之一平台位置的校准方法，该方法包含：藉由一投影系统而将一图案化器件之一图案投影至一基板上，在一第一方向上相对于该图案化器件而移动该基板时，在该第一方向上延伸该经投影图案，其中该图案包含在一第二方向上投影至该基板上的复数个点，以便在该基板上形成复数个平行连续线之一线图案(line pattern)；在垂直于该第一方向之该第二方向上沿着该第一方向而量测该经延伸图案之位置；及自该经延伸图案之该经量测位置导出(deriving)该平台位置之一校准。