降低闸极漏电流并控制启始电压偏移量之方法及互补式金氧半导体装置

摘要

本发明有关一种降低闸极漏电流并控制启始电压偏移量之方法，系在基底上的PMOS区及NMOS区进行一第一离子布植制程，以于闸极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者；及在基底上的NMOS区进行一第二离子布植制程，此时将PMOS区以遮罩层覆盖，仅于NMOS区的闸极介电层内或半导体基底内植入氟离子、碳离子、或此二者。如此，PMOS区及NMOS区所得到的布植剂量可不相同，而可补偿等效氧化层厚度不同所引起的负作用，并解决Vt偏移问题。

主权项

一种降低闸极漏电流并控制启始电压偏移量之方法，包含有：提供一半导体基底，该半导体基底具有一P型金氧半导体(PMOS)区及一N型金氧半导体(NMOS)区；于该半导体基底上形成一闸极介电层；于该闸极介电层上形成一闸极材料层；进行一第一离子布植制程，以于该PMOS区与该NMOS区之该闸极介电层内或该半导体基底内植入选自氟离子及碳离子所组成之组群之至少一者；及形成一遮罩层覆盖该PMOS区，而进行一第二离子布植制程，以于该NMOS区之该闸极介电层内或该半导体基底内植入选自氟离子及碳离子所组成之组群之至少一者。