发明名称 | 半导体制程;SEMICONDUCTOR PROCESS | ||
摘要 | 一种半导体制程,包含有下述步骤。首先,形成一堆叠结构于一基底上。然后,覆盖一接触洞蚀刻停止层于堆叠结构以及基底。之后,形成一材料层于基底上,并暴露出覆盖堆叠结构的接触洞蚀刻停止层的一顶部。其后,整修顶部。 | ||
申请公布号 | TW201434076 | 申请公布日期 | 2014.09.01 |
申请号 | TW102105740 | 申请日期 | 2013.02.19 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 黄光弘;杨杰甯;王尧展;曾纪昇;廖柏瑞;张世璋 |
分类号 | H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) | 主分类号 | H01L21/28(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> | |
主权项 | |||
地址 | UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |