发明名称 半导体制程;SEMICONDUCTOR PROCESS
摘要 一种半导体制程,包含有下述步骤。首先,形成一堆叠结构于一基底上。然后,覆盖一接触洞蚀刻停止层于堆叠结构以及基底。之后,形成一材料层于基底上,并暴露出覆盖堆叠结构的接触洞蚀刻停止层的一顶部。其后,整修顶部。
申请公布号 TW201434076 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW102105740 申请日期 2013.02.19
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 黄光弘;杨杰甯;王尧展;曾纪昇;廖柏瑞;张世璋
分类号 H01L21/28(2006.01);H01L21/336(2006.01) 主分类号 H01L21/28(2006.01)
代理机构 代理人 <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name>
主权项
地址 UNITED MICROELECTRONICS CORP. 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号