| 发明名称 |
半导体结构及其制造方法 |
| 摘要 |
一种半导体结构及其制造方法。半导体结构包括二极体。二极体包括第一掺杂区、第二掺杂区与第三掺杂区。第一掺杂区与第三掺杂区具有第一导电型。第二掺杂区具有相反于第一导电型的第二导电型。第二掺杂区与第三掺杂区系藉由第一掺杂区分开。第三掺杂区具有相邻近的第一部分与第二部分，分别靠近与远离第二掺杂区。第一部分的掺杂浓度系大于第二部分的掺杂浓度。 |
| 申请公布号 |
TWI451576 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
| 申请号 |
TW100125529 |
申请日期 |
2011.07.19 |
| 申请人 |
旺宏电子股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
发明人 |
陈建志;林正基;连士进;吴锡垣 |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L21/329 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
祁明辉 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2;林素华 台北市信义区忠孝东路5段510号22楼之2 |
| 主权项 |
一种半导体结构，包括一二极体，其中该二极体包括：一第一掺杂区，具有一第一导电型；一第二掺杂区，具有相反于该第一导电型的一第二导电型；以及一第三掺杂区，具有该第一导电型；其中该第二掺杂区与该第三掺杂区系藉由该第一掺杂区分开，该第三掺杂区具有相邻近的一第一部分与一第二部分，该第一部分与该第二部分系分别靠近与远离该第二掺杂区，该第一部分的掺杂浓度系大于该第二部分的掺杂浓度。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行路16号 |
