一种包含热保护底电极的相变化记忆胞与其制作方法

摘要

本发明系关于记忆装置与其制作方法。依据此处所揭露之记忆装置的一种实施例，该记忆装置包含一底电极，位于底电极上的一热保护结构，以及位在该热保护结构上的多层堆叠。该热保护结构包含一热保护材料层，该热保护材料之导热系数低于底电极材料之导热系数。

主权项

一种记忆装置，包含：一底电极，包含一底电极材料；一热保护结构位于该底电极之上，该热保护结构包含一热保护材料层以及一第一阻障层于该热保护材料层之上，该热保护材料层具有低于该底电极材料之一导热系数，且该热保护材料层具有低于该第一阻障层之一导电系数；以及一多层堆叠位于该热保护结构上且与其自动对准，该多层堆叠包含一顶电极位于一相变化核心之上，该相变化核心包含具有至少二固态相之一相变化材料，其中该多层堆叠在一第一方向上具有一第一宽度，该第一宽度小于该热保护材料层之宽度，以及在一第二方向上具有一第二宽度，该第二宽度小于该热保护材料层之宽度，而该第二方向与该第一方向垂直。