发明名称 铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板之制造方法
摘要 本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板之制造方法。本发明之微蚀刻剂系由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。前述聚合物系具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量系1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,聚合物的浓度设为B重量%时,A/B的值系50~6000。依据本发明,即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。
申请公布号 TWI451000 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW102109459 申请日期 2013.03.18
申请人 MEC股份有限公司 日本 发明人 栗井雅代;田井清登;中村真美
分类号 C23F1/18;H01L21/306;H05K3/06 主分类号 C23F1/18
代理机构 代理人 庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;何秋远 台北市中山区复兴北路290号12楼
主权项 一种微蚀刻剂,其为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成之铜微蚀刻剂,其中前述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物,且在将前述含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,前述聚合物的浓度设为B重量%时,A/B值为50~6000。
地址 日本