发明名称 |
铜微蚀刻液及其补充液、以及配线基板之制造方法 |
摘要 |
本发明提供微蚀刻剂及其补给液、以及使用微蚀刻剂的配线基板之制造方法。本发明之微蚀刻剂系由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成。前述聚合物系具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量系1000以上之水溶性聚合物。本发明之微蚀刻剂在将含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,聚合物的浓度设为B重量%时,A/B的值系50~6000。依据本发明,即便是低蚀刻量也能维持铜与树脂等的密着性。 |
申请公布号 |
TWI451000 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
申请号 |
TW102109459 |
申请日期 |
2013.03.18 |
申请人 |
MEC股份有限公司 日本 |
发明人 |
栗井雅代;田井清登;中村真美 |
分类号 |
C23F1/18;H01L21/306;H05K3/06 |
主分类号 |
C23F1/18 |
代理机构 |
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代理人 |
庄志强 台北市大安区敦化南路2段71号18楼;何秋远 台北市中山区复兴北路290号12楼 |
主权项 |
一种微蚀刻剂,其为由包含铜离子、有机酸、卤化物离子、含有分子量为17~400的胺基之化合物及聚合物之水溶液所形成之铜微蚀刻剂,其中前述聚合物为具有聚胺链及/或阳离子性基,且重量平均分子量为1000以上之水溶性聚合物,且在将前述含有胺基之化合物的浓度设为A重量%,前述聚合物的浓度设为B重量%时,A/B值为50~6000。 |
地址 |
日本 |