发明名称 用于以雷射及电浆蚀刻切割基板之多层遮罩
摘要 一种切割具有复数个积体电路之基板的方法。一方法包括形成一多层遮罩,该多层遮罩包含位于半导体基板上方且可溶于溶剂中之第一遮罩材料层及位于该第一遮罩材料层上方且不溶于该溶剂中之第二遮罩材料层。使用雷射划线制程对该多层遮罩进行图案化以提供具有间隙之图案化遮罩。该图案暴露出位于积体电路之间的基板区域。随后,利用第二遮罩材料层保护该第一遮罩材料层免受至少一部分电浆蚀刻,对该基板进行电浆蚀刻至贯穿该图案化遮罩中的间隙,藉以切割该等积体电路。接着溶解该可溶材料层以进行分离,而得以去除该多层遮罩。
申请公布号 TWI451487 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW101119167 申请日期 2012.05.29
申请人 应用材料股份有限公司 美国 发明人 霍登詹姆士M;雷伟生;伊顿贝德;伊根陶德;辛沙拉杰特
分类号 H01L21/302;H01L21/3065;H01L21/308 主分类号 H01L21/302
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种切割一包含复数个积体电路(IC)之基板的方法,该方法包括以下步骤:于该基板上方形成一多层遮罩,该多层遮罩覆盖且保护该等积体电路,该多层遮罩包含位于该等积体电路之一顶表面上的一第一遮罩材料层及配置于该第一遮罩材料层上方的一第二遮罩材料层;使用一雷射划线制程对该多层遮罩进行图案化,藉以提供一具有多个间隙的图案化遮罩,而暴露出该基板之介于该等积体电路之间的多个区域;电浆蚀刻该基板至贯穿该图案化遮罩中之该等间隙以切割该等积体电路,其中该第二遮罩材料层保护该第一遮罩材料层免于暴露至该电浆下持续至少一部分之蚀刻制程;以及溶解该第一遮罩材料层并自该等积体电路之该顶表面上揭除该第二遮罩材料层。
地址 美国