光阻下层膜材料及使用此材料之图案形成方法

摘要

本发明之目的在于提供一种光阻下层膜材料、及使用此光阻下层膜材料的图案形成方法，该光阻下层膜材料可形成如下述之下层膜：可降低反射率(具有作为抗反射膜之最适的n、k值)、埋入特性优异、图案弯曲耐性高，尤其较60nm细之高深宽比线之蚀刻后不会发生蚀刻后之线的倒塌或扭曲，尤其可形成作为3层光阻制程用下层膜。;本发明之光阻下层膜材料，其特征为含有：至少藉由将1种以上之以下述通式(1-1)及/或(1-2)表示的化合物，与1种以上之以下述通式(2)表示之化合物，与1种以上之以下述通式(3)表示之化合物及/或其等价体缩合而得之聚合物。;Y-CHO (3)

主权项

一种光阻下层膜材料，其特征为含有：至少藉由将1种以上之以下述通式(1-1)及/或(1-2)表示之化合物，与1种以上之以下述通式(2)表示之化合物，与1种以上之以下述通式(3)表示之化合物及/或其等价体缩合而得之聚合物；(该通式(1-1)及(1-2)中，R1~R8彼此独立地表示氢原子、卤素原子、羟基、异氰酸酯基、环氧丙氧基、羧基、胺基、碳数1~30之烷氧基、碳数1~30之烷氧羰基、碳数1~30之烷醯氧基的任一者，或可被取代之碳数1~30之饱和或不饱和的有机基；此外，也可分子内由R1~R4或R5~R8各别任意选择的2个取代基互相键结而形成环状取代基；惟，不包括通式(1-1)及(1-2)为具有3个以上之芳香环之经取代或非经取代缩合芳香环的情形)；(该通式(2)中，X为2~4的整数。)；Y-CHO (3)(该通式(3)中，Y为氢原子或可被取代之碳数1~30的一价有机基。)。