发明名称 |
太阳能电池之矽基板表面处理方法及太阳能电池之制造方法 |
摘要 |
本发明系关于一种太阳能电池,具体而言系关于一种太阳能电池之矽基板的表面处理方法及太阳能电池的制造方法。其中,这种太阳能电池之矽基板的表面处理方法包含有:第一表面处理步骤,系对用酸性溶液从矽铸块上切割下之矽基板进行蚀刻,藉以在矽基板之外表面上形成复数个第一凸起部分;以及第二表面处理步骤,系用于在将要形成抗反射膜之处透过乾式蚀刻于矽基板之外表面上,即在具有透过第一表面处理步骤在上面形成了第一凸起部分之矽基板的外表面中形成尺寸小于第一凸起部分的复数个第二凸起部分。 |
申请公布号 |
TWI451586 |
申请公布日期 |
2014.09.01 |
申请号 |
TW099131725 |
申请日期 |
2010.09.17 |
申请人 |
圆益IPS股份有限公司 南韩 |
发明人 |
金炳埈 |
分类号 |
H01L31/18;H01L31/042 |
主分类号 |
H01L31/18 |
代理机构 |
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代理人 |
洪尧顺 台北市内湖区行爱路176号3楼 |
主权项 |
一种太阳能电池之矽基板的表面处理方法,系包含:第一表面处理步骤,系对用一酸性溶液从一矽铸块上切割下之一矽基板进行蚀刻,藉以在该矽基板之外表面上形成复数个第一凸起部分;以及第二表面处理步骤,系用于在将要形成一抗反射膜之处透过乾式蚀刻于该矽基板之外表面上,即在具有透过第一表面处理步骤在上面形成了该等第一凸起部分之矽基板的外表面中形成尺寸小于该等第一凸起部分的复数个第二凸起部分;其中,在进行该第一表面处理步骤之后,当该矽基板之外表面中将要形成该抗反射膜之外表面的面积为一理想面积时,在该第一表面处理步骤中接受蚀刻之表面的实际面积与该理想面积间之一比率介于1.2:1~3.2:1的范围内。 |
地址 |
南韩 |