半导体装置及其制造方法

摘要

实施形态的半导体装置系具备:半导体层,其系具有第1面、及与前述第1面相反侧的第2面;中间层,其系设在前述第1面上,包含仅以离子化倾向中标准氧化还元电位为0(零)V以上的金属所构成的金属层;及电极,其系设在前述中间层上。半导体装置更具备导电层,其系以能够从前述第2面到达前述中间层的方式覆盖被设在前述半导体层的通孔的内面之导电层,经由露出于前述孔的底面之前述中间层来电性连接至前述电极。