薄膜半导体之结晶性评价装置及其方法

摘要

在本发明之薄膜半导体之结晶性评价装置(1)以及结晶性评价方法中，系对于薄膜半导体(2a)之试料(2)的测定部位，而照射激励光以及电磁波，并藉由检测出从试料(2)而来之反射电磁波的强度，而对于试料(2)之结晶性作评价。而，试料(2)之薄膜半导体(2a)，系被形成在导电性膜(2b)上，在试料(2)和辐射出电磁波之导波管(13)之间，系更进而被配置有相对于激励光而为透明之介电质(3)。因此，此种构成之薄膜半导体之结晶性评价装置(1)以及其方法，就算是在如同上述一般之于半导体薄膜(2a)之下而形成有导电性膜(2b)的情况时，亦能够对于其之结晶性作评价。

主权项

一种薄膜半导体之结晶性评价装置，系具备有：激励光照射部，系对于薄膜半导体之试料的测定部位，而照射具备有前述薄膜半导体之能带间隙以上的能量之激励光；电磁波照射部，系对于前述激励光之照射位置照射电磁波；检测部，系将由于前述激励光之照射而改变的从前述试料而来之反射电磁波的强度检测出来；和评价部，系根据前述检测部之检测结果而评价前述试料之结晶性，该薄膜半导体之结晶性评价装置，其特征为：前述试料之前述薄膜半导体，系被形成在导电性膜上，并且，系更进而具备有：被配置在前述试料和前述电磁波照射部之间，且相对于前述激励光而为透明之介电质，当将前述介电质之介电率设为ε，将厚度设为d，并且将照射电磁波之波长设为λ的情况时，系成为d=λ/4(ε)1/2之关系。