一种制作可转移性晶体薄膜的方法

摘要

一种在氧化铝基板上制作可转移性晶体薄膜层结构的制程方法。该制程系首先在该氧化铝基板表面依序生长一金属氮化物薄膜层、一非晶薄膜层于该金属氮化层上、结晶薄膜层于该非晶薄膜层上，最后形成一薄膜层结构于氧化铝基板上。于该氧化铝基板上之薄膜层结构施予再结晶退火制程转成晶体薄膜层结构。接着将该晶体薄膜层结构之表面暴露一氢离子源中，使氢离子由此注入该晶体薄膜层结构内。以晶圆键合方法将该晶体薄膜层结构表面与一随意基板接合，藉由一能量输入制程，将该氧化铝基板与该晶体薄膜层结构分离，使该薄膜层转移至另一基板上。

主权项

一种形成薄膜层结构之制程方法，该方法至少包含：形成一金属氮化物薄膜层于一氧化铝基板之表面上；形成至少一个薄膜层结构于该金属氮化物材料层上；于该薄膜层结构表面注入氢离子；由该氧化铝基板裸面输入能量，使得该氧化铝基板与该薄膜层结构分离。