植入制程的热调整

摘要

一种离子植入的方法，其包括在植入制程期间调整基底的温度。此调整影响基底的特性，且可以用来将范围末端缺陷最小化；选择性地分离和扩散出次掺质；将非结晶区域最大化或最小化；以及改变其他半导体参数。在一特定的实施例中，使用调整温度的离子植入的组合。在高温下的离子植入与一般的基本处理连续使用，以及与在低温下的离子植入连续使用。温度调整可以在制程的开始或末端，以减轻有害的次掺质影响。

主权项

一种在离子植入制程期间将基底中不需要的次掺质最小化的方法，包括：a.在所述离子植入制程的第一部分期间，在第一温度下将分子离子植入所述基底，其中在所述分子离子与所述基底碰撞之下，所述分子离子分解为所需的主要掺质与所述不需要的次掺质；以及b.在所述离子植入制程的第二部分期间，增加该基底的温度，使得所述不需要的次掺质扩散穿过该基底的表面。