发明名称 离子束照射装置
摘要 本发明的离子束照射装置不仅防止在晶片处理室中产生颗粒,且防止颗粒向晶片处理室中扩散,防止颗粒附着在晶片处理室内的晶片上。所述离子束照射装置包括:晶片处理室,用于收容支承晶片的晶片支承机构,并用于向支承在晶片支承机构上的晶片照射离子束;输送机构收容室,设在晶片处理室的下方,收容使晶片支承机构沿大体水平方向移动的输送机构,在隔开晶片处理室和输送机构收容室之间的隔板上形成开口,开口使连接晶片支承机构和输送机构的连接构件与晶片支承机构一起移动,并沿输送机构的移动方向形成。
申请公布号 TW201434074 申请公布日期 2014.09.01
申请号 TW102130275 申请日期 2013.08.23
申请人 日新离子机器股份有限公司 发明人 久田晋也;田中浩平;田村茂久;中矢良
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 <name>庄志强</name>
主权项
地址 NISSIN ION EQUIPMENT CO., LTD. 日本