半导体制造使用吸附盘之结构

摘要

本创作提供一种半导体制造使用吸附盘之结构，包含底座、多个缓冲层、铜箔层以及树脂层，其中底座之上设有至少一缓冲层，在缓冲层之上设有一铜箔层，以及一树脂层，该树脂层设于该铜箔层之上，其中底座、各缓冲层、铜箔层及树脂层与相邻各层之间设有黏着层。其中，本创作之树脂层及缓冲层的设置不仅能使吸附盘整体不受电浆影响，减少吸附盘之老化被侵蚀程度和阳极氧化该树脂层表面与底座相接处生成物的累积，提高吸附盘之使用寿命。

主权项

一种半导体制造使用吸附盘之结构，包含：一底座；至少一缓冲层，各该缓冲层设于该底座之上，系提供该吸附盘之缓冲与绝缘；一铜箔层，该铜箔层设于该缓冲层之上，系藉由外部通入直流电而产生静电，增加该吸附盘之吸附力；一树脂层，该树脂层设于该铜箔层之上，系提供一吸附面供该吸附盘进行吸附；以及其中，该底座、各该缓冲层、该铜箔层及该树脂层与相邻各层之间设有黏着层。