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Halbleiterspeicherbauelement (26) mit einer Vielzahl von Speicherzellen (25), wobei das Halbleiterspeicherbauelement (26) ein Substrat (1), mindestens eine Wortleitung (2) und erste (3) und zweite (4) Leitungen aufweist, wobei jede Speicherzelle (25) der Vielzahl von Speicherzellen (25) umfasst: eine Rippe (15) aus Halbleitermaterial, wobei die Rippe (15) eine obere Oberfläche (5), eine erste (6) und zweite (7) gegenüberliegende Seitenwand und ein erstes (8) und zweites (9) gegenüberliegendes Ende aufweist, wobei die Rippe (15) entlang einer ersten Richtung (X) verläuft; eine an der ersten (6) und zweiten (7) Seitenwand der Rippe (15) angeordnete ladungseinfangende Schicht (11) mit einer ersten Dielektrikumsschicht (27), einer auf der ersten Dielektrikumsschicht (27) angeordneten zweiten Dielektrikumsschicht (28) und einer auf der zweiten Dielektrikumsschicht (28) angeordneten dritten Dielektrikumsschicht (29); eine an der oberen Oberfläche (5) der Rippe (15) angeordnete strukturierte erste Isolierschicht (10), wobei die erste Isolierschicht (10) an die obere Oberfläche (5) der Rippe (15) und die ladungseinfangende Schicht (11) anstößt; ein an das erste Ende (8) der Rippe (15) gekoppeltes erstes Dotiergebiet (12); ein an das zweite Ende (9) der Rippe (15) gekoppeltes zweites Dotiergebiet (13); wobei die mindestens eine Wortleitung (2) die an der oberen Oberfläche (5) der Rippe (15) angeordnete erste Isolierschicht (10) bedeckt und die mindestens eine Wortleitung (2) die an der ersten (6) und zweiten (7) Seitenwand der Rippe (15) angeordnete ladungseinfangende Schicht (11) bedeckt und die mindestens eine Wortleitung (2) entlang der ersten Richtung (X) verläuft; wobei die erste (3) und zweite Leitung (4) entlang einer zweiten Richtung (Y) verlaufen. |
