| 摘要 |
<p>Die Erfindung betrifft zunächst eine Vorrichtung und eine Verfahren zum Abscheiden von Halbleiterschichten, insbesondere III–V Halbleiterschichten mit einer in einem Reaktorgehäuse (1) angeordneten Prozesskammer (2), in die eine Gaszuleitung (3) mündet, durch die zusammen mit einem Trägergas ein Prozessgas in die Prozesskammer (2) einleitbar ist, mit einer ersten Temperiereinrichtung (4), mit der Betriebstemperatur der Prozesskammer (2) auf einer Prozesstemperatur stabilisierbar ist, bei der eine Reaktion des Prozessgases stattfindet, bei der sich zumindest gasförmige Reaktionsprodukte bilden, wobei die Prozesskammer (2) mit einer Gasableitung (5) mit einer Kühlfalle (6) und einer Filtereinrichtung (7) verbunden ist. Um die Effizienz eines Abgassystems bei einer gattungsgemäßen Vorrichtung zu erhöhen, wird vorgeschlagen, dass die Filtereinrichtung (7) stromaufwärts der Kühlfalle (6) angeordnet ist. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zum Reinigen einer derartigen Prozesskammer.</p> |
