发明名称 MEHRCHIPBAUGRUPPE MIT GETRENNTEN ZWISCHENVERBINDUNGEN ZWISCHEN CHIPS
摘要 <p>Eine erste Elektrode an einer ersten Seite eines ersten Halbleiterchips ist mit einem ersten leitfähigen Gebiet eines Substrats verbunden. Eine erste Elektrode an einer ersten Seite eines zweiten Halbleiterchips ist mit einem zweiten leitfähigen Gebiet des Substrats verbunden. Jeder Chip weist eine zweite Elektrode an einer gegenüberliegenden zweiten Seite des jeweiligen Chips auf. Eine erste Metallschicht erstreckt sich von einem Randgebiet des Substrats bis über den ersten Chip. Die erste Metallschicht weist eine allgemein rechteckige Querschnittsfläche auf und verbindet eines der leitfähigen Gebiete im Randgebiet des Substrats mit der zweiten Elektrode des ersten Chips. Eine zweite Metallschicht, die von der ersten Metallschicht getrennt ist, erstreckt sich über den ersten und den zweiten Chip. Die zweite Metallschicht weist eine allgemein rechteckige Querschnittsfläche auf und verbindet die zweiten Elektroden des ersten und des zweiten Chips.</p>
申请公布号 DE102014102364(A1) 申请公布日期 2014.08.28
申请号 DE201410102364 申请日期 2014.02.24
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG 发明人 HOSSEINI, KHALIL;MAHLER, JOACHIM;HOEGLAUER, JOSEF
分类号 H01L25/11;H01L21/60;H01L23/48 主分类号 H01L25/11
代理机构 代理人
主权项
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