发明名称 |
Verfahren zum Herstellen eines fotoelektrischen Umwandlers sowie fotoelektrischer Umwandler |
摘要 |
Verfahren zur Herstellung eines fotoelektrischen Umwandlers (1), mit den folgenden Schritten: Ausbilden eines Blockier-/Trennungsfilms (7) umfassend Titanoxid mit einer amorphen Struktur und mit einem Mischverhältnis von Sauerstoff/Titan von 1,8 oder mehr auf einem transparenten Elektrodenfilm (5) zur Vermeidung von Kurzschlüssen, Ausbilden eines Strom-/Spannungserzeugungsschichtfilms (9) aus Elektrontransportpartikeln (9a) und aus einem Lochtransportmaterial (9c) auf dem Blockier-/Trennungsfilm (7), und Ausbilden eines Gegenelektrodenfilms (11) auf dem Strom-/Spannungserzeugungsschichtfilm (9), wobei der Blockier-/Trennungsfilm (7) auf Basis eines Vakuum-Filmausbildungsprozesses hergestellt wird. |
申请公布号 |
DE10197130(B4) |
申请公布日期 |
2014.08.28 |
申请号 |
DE2001197130 |
申请日期 |
2001.10.31 |
申请人 |
SONY CORPORATION;SONY DEUTSCHLAND GMBH |
发明人 |
IWABUCHI, KIETSU;KONDO, HIROFUMI;YASUDA, AKIO;NELLES, GABRIELE |
分类号 |
H01L51/48;H01G9/20;H01L31/0352;H01L31/18;H01L51/44 |
主分类号 |
H01L51/48 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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