Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung enthält die Schritte: (b) Ausbilden von anorganischen Schichten (22f, 31f bis 35f) auf einer Rückseitenfläche eines Dummy-Substrats (22) und Rückseitenflächen einer Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31 bis 35) mit solch einer Dicke, dass die anorganischen Schichten resistent gegenüber einer Temperatur bei einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmebehandlung sind und die Menge an oxidierenden oder reduzierenden Gasen, die die Rückseitenflächen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl von Halbleitersubstraten (31 bis 35) erreichen, hinreichend reduziert ist, (c) Anordnen des Dummy-Substrats (22) und der Mehrzahl an Halbleitersubstraten (31 bis 35) in einem Stapel mit in die gleiche Richtung zeigenden Oberflächen und einem Zwischenraum zwischen den Substraten und (d) Durchführen einer thermischen Oxidationsbehandlung oder einer Wärmenachbehandlung der vorderseitigen Oberflächen der Halbleitersubstrate (31 bis 35) in einer oxidierenden Gasatmosphäre oder einer reduzierenden Gasatmosphäre nach den Schritten (b) und (c).