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Halbleitervorrichtung (2), die eine Steuereinheit und eine FRAM-Speichereinheit mit FRAM-Zellen (4) umfasst, wobei in der FRAM-Speichereinheit FRAM-Referenzspeicherzellen vorgesehen sind, die ein vorgegebenes Testdatenmuster umfassen, und wobei die Steuereinheit konfiguriert ist zum: a) Lesen der FRAM-Referenzspeicherzellen, die Testdaten des vorgegebenen Testdatenmusters umfassen, in einer Grenzwertbetriebsart, b) Vergleichen der ausgelesenen Bitinformationen der FRAM-Referenzspeicherzellen mit dem vorgegebenen Testdatenmuster, um zu bestimmen, ob in den FRAM-Referenzspeicherzellen ein Bitfehler vorhanden ist, und wenn das der Fall ist: c) Auslesen der vollständigen FRAM-Speichereinheit in einer Wiederherstellungsbetriebsart und d) Auffrischen alter FRAM-Zellen (4) der FRAM-Speichereinheit durch Zurückschreiben der ausgelesenen Bitinformationen in die jeweiligen FRAM-Zellen (4), wobei die Leseoperation in der Grenzwertbetriebsart im Vergleich zu der Leseoperation des Auslesens der vollständigen FRAM-Speichereinheit, die in der Wiederherstellungsbetriebsart ausgeführt wird, unter Verwendung einer niedrigeren Leseempfindlichkeit ausgeführt wird. |
