Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkristalls

摘要

Ein Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalls wird bereitgestellt, wobei das Verfahren umfasst: einen Rohmaterial-Schmelzschritt des Schmelzens von polykristallinem Silizium, das in einem Tiegel befindlich ist, um eine Siliziumschmelze zu erhalten; und einen Ziehschritt des In-Kontakt-Bringens eines Impfkristalls mit einer Schmelzenoberfläche der Siliziumschmelze und Hochziehen des Impfkristalls, um den Siliziumeinkristall wachsen zu lassen, wobei, nach dem Rohmaterial-Schmelzschritt und vor dem Ziehschritt, das Folgende durchgeführt wird: ein Cristobalitisierungsschritt des Belassens der Siliziumschmelze bei einer vorbestimmten Anzahl an Rotationen des Tiegels mit einer vorbestimmten Gasfließgeschwindigkeit und einem vorbestimmten Ofendruck, um Cristobalit auf einer Oberfläche des Tiegels zu erzeugen, während ein Magnetfeld angelegt wird; und ein Auflösungsschritt des teilweisen Auflösens des Cristobalits durch Ausführen von einem beliebigen von einem Erhöhen der Anzahl der Rotationen des Tiegels, einem Erhöhen der Gasfließgeschwindigkeit und einer Verringerung des Ofendrucks jenseits der entsprechenden Werte des Cristobalitisierungsschritts. Als ein Ergebnis, wird das Verfahren zur Herstellung eines Siliziumeinkristalls bereitgestellt, welches das Auftreten einer Versetzung zum Zeitpunkt der Herstellung des Siliziumeinkristalls unterdrückt.