一种指导ALD制备氧化物半导体薄膜的光谱探测方法

摘要

本发明属于半导体材料技术领域，涉及一种利用光谱探测技术确定CH₃/CH₄含量，指导ALD制备Al₂O₃薄膜的方法。利用近红外光谱仪分析近红外光谱，分析反应程度。通过调节生长温度，脉冲时间，冲洗时间等生长条件确定Al₂O₃最适宜的生长条件。本发明通过近红外光谱仪测量光吸收谱，可实时了解并控制反应进程，对提高ALD生长Al₂O₃等氧化物薄膜的质量及可控性具有重要作用，同时可提高材料的可重复性。

主权项

一种指导ALD制备氧化物半导体材料的光谱探测技术，其包括以下其特征是采用如下具体步骤：（1）    选用石英或蓝宝石为衬底。 三甲基铝(TMA)和水作为反应用金属源和氧源, 高纯氮气作为载气和动力气。 反应源通入真空腔体顺序如下: TMA通入腔体, 脉冲时间为15毫秒, 等待时间为5秒; 水通入腔体, 脉冲时间为15毫秒, 等待时间为5秒。 衬底温度为150℃~200℃。重复循环上述过程若干次，直至所需薄膜厚度为止。（2）    将反应腔中的光通过光纤引出，使用近红外光谱仪测量吸收谱，检测CH₃/CH₄含量，判断反应进程，从而指导制备的Al₂O₃薄膜。