| 发明名称 | 带有融合金属纳米线的透明导电电极、它们的结构设计及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种具有融合金属纳米线的透明导电电极及其制造方法。所述融合纳米线的接合点的结深度小于单个金属纳米线的直径之和。 | ||
| 申请公布号 | CN104011804A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201480000277.2 | 申请日期 | 2014.01.22 |
| 申请人 | 苏州诺菲纳米科技有限公司 | 发明人 | 潘克菲 |
| 分类号 | H01B1/00(2006.01)I;H01B13/00(2006.01)I;B82Y20/00(2011.01)I;B82Y30/00(2011.01)I | 主分类号 | H01B1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人 | 杨林洁 |
| 主权项 | 一种导电电极，其包括：基板；以及位于所述基板上的主要单层，所述单层包括直径为d1的第一金属纳米线和直径为d2的第二金属纳米线，其中所述第一和第二金属纳米线相交形成一个融合接合点，该融合接合点的深度为J12，其中，J12 =<（d1 + d2），J12 > d1且 J12 > d2。 | ||
| 地址 | 215028 江苏省苏州市工业园区星湖街218号生物纳米园A4-308 | ||