| 发明名称 | 通过热处理使表面平滑化的工艺 | ||
| 摘要 | 用于平滑化由半导体合金制造的第一基板(3)的粗糙表面(4)的工艺，该合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素，其通过放置第二基板(6)面对第一基板(3)使得粗糙表面(4)放置为面对第二基板(6)的表面而实现。第一基板(3)和第二基板(6)分开至少10μm的距离d，两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)。第一基板(3)然后被加热以部分地解吸所述合金的一种元素，在限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。 | ||
| 申请公布号 | CN104011840A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201280065068.7 | 申请日期 | 2012.10.26 |
| 申请人 | 原子能和代替能源委员会 | 发明人 | T.朱安诺;Y.伯古米罗维茨 |
| 分类号 | H01L21/324(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/324(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 邱军 |
| 主权项 | 一种第一基板(3)的粗糙表面(4)的平滑化工艺，包括如下步骤：提供该第一基板(3)，该第一基板(3)具有该粗糙表面(4)，由半导体合金制造，该半导体合金基于选自Ga、As、Al、In、P和N的至少两种元素；放置第二基板(6)，第二基板(6)具有面对该第一基板(3)的该粗糙表面(4)的表面，该两个基板(3和6)分离的距离d至少等于10μm，该两个基板(3、6)的面对部分限定限制空间(5)；加热该第一基板(3)，以部分地解吸该半导体合金的该元素之一并且在该限制空间(5)中达到该元素的饱和蒸气压，并且获得足以降低该粗糙表面(4)的粗糙度的表面原子迁移率。 | ||
| 地址 | 法国巴黎 | ||