制造半导体器件的方法及装置

摘要

本发明公开一种制造半导体器件的方法和装置，其能够实现对加工室清洁周期的延长，所述方法包括：预加热衬底；将所述经预热的衬底放置于设置在基座中的衬底支撑单元上，同时将所述经预热的衬底保持在距离设置于加工室内的所述基座的上表面预定的高度上；以及在所述经预热的衬底上形成薄膜，其中所述经预热的衬底的温度高于在所述加工室内形成薄膜的加工温度。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括：预加热衬底；将所述经预热的衬底放置在设置于基座中的衬底支撑单元上，同时，将所述经预热的衬底保持在距离设置于加工室内的所述基座的上表面预定的高度上；以及在由所述衬底支撑单元保持在距离所述基座的上表面预定的高度上的所述经预热的衬底上形成薄膜，其中，所述经预热的衬底的温度高于加工温度，用以在所述加工室内形成所述薄膜，以及其中，在所述经预热的衬底上形成薄膜时，所述经预热的衬底不从所述基座得到加热。