发明名称 |
位线选择晶体管布局结构 |
摘要 |
一种位线晶体管其包括,不同的沟道长度,沟道宽度,或两者兼具以补偿位线负载效应。该晶体管结构的沟道长度或沟道宽度可以被配置为实现理想的负载。因此,该位线晶体管结构可以改善整体金属位线负载的一致性以及提供位线偏压更好的一致性。此外,位线偏压更好的一致性可以改善可靠度。 |
申请公布号 |
CN101005073B |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN200610154340.5 |
申请日期 |
2006.09.22 |
申请人 |
旺宏电子股份有限公司 |
发明人 |
杨姈桂;刘振钦;黄兰婷;吴栢瑄 |
分类号 |
H01L27/105(2006.01)I;H01L21/8239(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/105(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
韩宏 |
主权项 |
一种存储器元件,其包括:位线;第一晶体管连接至该位线,该第一晶体管包括沟道;第二晶体管连接至该位线,该第二晶体管包括沟道,该沟道的尺寸不同于该第一晶体管沟道的尺寸;以及Y方向解码器,连接至该第一和第二晶体管,且临近于该第二晶体管,其中该第一和第二晶体管沟道尺寸包括沟道长度或宽度,且其中该第一晶体管的沟道长度短于该第二晶体管的沟道长度,或该第一晶体管的沟道宽度宽于该第二晶体管的沟道宽度。 |
地址 |
中国台湾新竹科学工业园区 |