切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置

摘要

本发明公开了一种包括粘合层和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层的切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置，其中所述压敏粘结剂层在25℃下具有400至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200至350mN/25mm的剥离强度。所述切割芯片粘合膜不包括UV工艺并在切割工艺中具有优异的加工性。

主权项

一种切割芯片粘合膜，包括：粘合层；和与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层，所述压敏粘结剂层在25℃下具有400kPa至600kPa的储能模量和根据KS‑A‑01107标准测定的相对于所述粘合层的200mN至350mN/25mm的剥离强度，其中用ARES流变学流变仪测定所述储能模量，并且所述测定在25℃、10Hz的频率和10%的应变下进行，其中所述压敏粘结剂层包括粘结剂树脂和热固化剂，并且所述压敏粘结剂层不包括光引发剂，其中所述粘结剂树脂为包括60wt%至85wt%的所述（甲基）丙烯酸烷基酯的重复单元、10wt%至35wt%的所述含羟基的（甲基）丙烯酸酯的重复单元和1wt%至10wt%的所述含环氧基的（甲基）丙烯酸酯的重复单元的共聚物。