| 发明名称 | 使用梯度线圈来校正MR成像中的高阶B<sub>0</sub>场不均匀性 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种校正MR设备的检查体积中的高阶B<sub>0</sub>磁场不均匀性的方法。根据本发明，通过多个梯度线圈(4)中的至少一个的两个或两个以上的线圈段(X<sub>1</sub>，X<sub>2</sub>)的电流通过如下的方式被独立地控制：使得主磁场B<sub>0</sub>的高阶场不均匀性由至少一个梯度线圈(4)的磁场来补偿。 | ||
| 申请公布号 | CN104011557A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201280064093.3 | 申请日期 | 2012.12.11 |
| 申请人 | 皇家飞利浦有限公司 | 发明人 | C·L·G·哈姆 |
| 分类号 | G01R33/385(2006.01)I;G01R33/3875(2006.01)I | 主分类号 | G01R33/385(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英;刘炳胜 |
| 主权项 | 一种用于校正MR设备(1)的检查体积中的几乎均匀的主磁场B<sub>0</sub>的磁场不均匀性的方法，其中，通过多个梯度线圈(4，5，6)中的至少一个的两个或两个以上的线圈段(X<sub>1</sub>，X<sub>2</sub>)的电流通过如下的方式被控制：使得所述主磁场B<sub>0</sub>的高阶场不均匀性由被叠加到所述主磁场B<sub>0</sub>上的至少一个梯度线圈的磁场来补偿。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||