| 发明名称 | 用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种能够降低薄膜反射率的用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法。该制备方法包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。通过用纳秒激光扫描非晶硅薄膜，在非晶硅薄膜表面可以形成明显的尖峰结构，可以大大降低非晶硅薄膜的反射率，在波长300-1100nm下的反射率最低可以达到0.8％，减反效果明显，基本实现了在整个太阳光辐射光谱范围内的宽光谱减反，而且，采用此种方法制备绒面陷光结构，具有易于大面积制备、生产工艺成熟、成本低廉的优点。适合在半导体制造技术领域推广应用。 | ||
| 申请公布号 | CN104009128A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201410259079.X | 申请日期 | 2014.06.12 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 刘爽;陈逢彬;李尧;唐海华;何存玉;熊流峰;钟智勇;刘永 |
| 分类号 | H01L31/20(2006.01)I;H01L31/054(2014.01)I | 主分类号 | H01L31/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人 | 李玉兴 |
| 主权项 | 用于太阳能电池的非晶硅薄膜陷光结构制备方法，其特征在于包括以下步骤：A、对衬底进行清洁处理；B、在衬底表面沉积非晶硅薄膜；C、对沉积在衬底表面的非晶硅薄膜进行纳秒激光扫描，从而在非晶硅表面形成陷光结构。 | ||
| 地址 | 611731 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号 | ||