一种高效N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法

摘要

本发明公开了一种高效N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其工艺流程包括：单晶硅两面激光开槽，制绒并对其清洗，在N型硅衬底的前表面进行硼扩散，选择性发射极形成以及去背结、边结以及硼硅玻璃，离子注入磷并退火，双面镀膜和制备电池的电极。该制备方法提高正面受光面积的同时降低了金属与材料的接触电阻，背面仍采用刻槽埋栅射和喷墨打印技术，有效增加电池对背面光线的吸收利用，这些技术相结合有效地降低了两个表面的光学和电学损失，同时，与目前企业生产线兼容性高，充分减少设备投资。

主权项

一种高效N型晶体硅刻槽埋栅电池的制备方法，其特征在于：其工艺流程包括：单晶硅两面激光开槽‑制绒并对其清洗‑在N型硅衬底的前表面进行硼扩散‑选择性发射极形成以及去背结、边结以及硼硅玻璃‑离子注入磷并退火‑双面镀膜‑制备电池的电极。