发明名称 陶瓷铜电路基板和使用了陶瓷铜电路基板的半导体装置
摘要 实施方式的陶瓷铜电路基板(1)具备陶瓷基板(2)、和经由包含活性金属元素的接合层而接合到陶瓷基板(2)的两面的第1以及第2铜板。在第1以及第2铜板的端部的截面中,比在从铜板与陶瓷基板的接合端朝向铜板的上表面内侧方向而与界面形成45°的方向上描绘出的直线(AB)还向铜板的外侧方向露出的截面的面积(C)相对与以直线(AB)为斜边的直角三角形相当的截面的面积(D)的比例(C/D)是0.2以上且0.6以下的范围。在第1以及第2铜板的上表面端部分别设置有R部,并且R部的从第1以及第2铜板的上方观察到的长度(F)为100μm以下。
申请公布号 CN104011852A 申请公布日期 2014.08.27
申请号 CN201280063176.0 申请日期 2012.12.20
申请人 株式会社东芝;东芝高新材料公司 发明人 矢野圭一;加藤宽正;宫下公哉;那波隆之
分类号 H01L23/12(2006.01)I;C04B37/02(2006.01)I;H01L23/13(2006.01)I;H01L23/14(2006.01)I;H05K1/02(2006.01)I;H05K1/09(2006.01)I 主分类号 H01L23/12(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 金光华
主权项 一种陶瓷铜电路基板,其特征在于,具备:陶瓷基板,具有第1面和第2面;第1铜板,经由包含从Ti、Zr、Hf、Al以及Nb中选择的至少一种活性金属元素和从Ag、Cu、Sn、In以及C中选择的至少一种元素的第1接合层,接合到所述陶瓷基板的第1面;以及第2铜板,经由包含从Ti、Zr、Hf、Al以及Nb中选择的至少一种活性金属元素和从Ag、Cu、Sn、In以及C中选择的至少一种元素的第2接合层,接合到所述陶瓷基板的第2面,在所述第1以及第2铜板的端部的截面中,将所述铜板与所述陶瓷基板的接合端设为点A,将在从所述点A朝向所述铜板的上表面的内侧而与所述铜板和所述陶瓷基板的界面形成45°的方向上描绘出的直线与所述铜板上表面相交的点设为点B,将比连接所述点A和所述点B的直线AB向所述铜板的外侧方向露出的截面的面积设为面积C,并将与以所述直线AB为斜边的直角三角形相当的截面的面积设为面积D时,所述第1以及第2铜板的端部具有所述面积C相对所述面积D的比例(C/D)为0.2以上且0.6以下的范围的形状,在与所述面积C的角部相当的所述第1以及第2铜板的所述上表面的端部分别设置有R部,并且所述R部的从所述第1以及第2铜板的上方观察到的长度F为100μm以下。
地址 日本东京都