晶圆级封装

摘要

一种晶圆级封装的方法包括：提供具有埋氧层和顶部氧化层的基板，以及蚀刻基板，以在埋氧层上形成开口和在开口之间形成微型机电系统(MEMS)谐振器元件，MEMS谐振器元件被包围在埋氧层，顶部氧化层，以及侧壁氧化层中。该方法进一步包括：使用多晶硅填充开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极，移除邻近MEMS谐振器元件的顶部氧化层和侧壁氧化层，将多晶硅电极与互补金属氧化物半导体(CMOS)晶圆或载具晶圆之一接合，移除邻近MEMS谐振器元件的埋氧层，以及将基板与盖晶圆接合，以密封CMOS晶圆或载具晶圆之一和盖晶圆之间的MEMS谐振器元件。

主权项

一种晶圆级封装的方法，包括：提供包括埋氧层和顶部氧化层的基板；蚀刻所述基板，以在所述埋氧层上形成多个开口，并且在所述开口之间形成微型机电系统MEMS谐振器元件，所述MEMS谐振器元件围在所述埋氧层，所述顶部氧化层以及侧壁氧化层内；用多晶硅填充所述开口，以形成邻近MEMS谐振器元件的多晶硅电极；移除顶部氧化层和邻近MEMS谐振器元件的侧壁氧化层；将所述多晶硅电极与互补金属氧化物半导体CMOS晶圆或载具晶圆之一相接合；移除邻近所述MEMS谐振器元件的所述埋氧层；以及将所述基板与盖晶圆接合，以密封所述CMOS晶圆或所述载具晶圆之一和所述盖晶圆之间的所述MEMS谐振器元件。