一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件

摘要

本实用新型公开了一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件。该陶瓷半导体器件是由导电下电极层、多铁陶瓷半导体和上电极薄膜层组成；其中所述的上下电极为Pt、Au或Al导电薄膜；所述的陶瓷半导体是Mg元素掺杂的BiFeO₃陶瓷或缺氧的BiFeO₃陶瓷。多铁陶瓷半导体采用改进的快速烧结技术合成，以高纯度Bi₂O₃、Fe₂O₃和掺杂氧化物为原料，充分混合后在特定的压强下压片成型；经过高温预烧结和快速烧结后，沉积上下电极薄膜层。本实用新型的多铁半导体器件具有优异的阈开关效应，利用受主离子在Fe位的掺杂，可以便利地调控阈值电压，并实现室温下低电场阈开关效应。本实用新型将对提高存储器件的设计灵活度具有重要的意义。

主权项

一种具有阈开关效应的多铁陶瓷半导体器件，包括导电下电极（1）、多铁半导体陶瓷层（2）、上电极薄膜层（3）；其特征在于多铁半导体陶瓷层（2）置于导电下电极（1）和上电极薄膜层（3）之间；其中导电下电极（1）为Pt、Au或Al导电薄膜中的一种；所述的多铁半导体陶瓷层（2）为缺氧的BiFeO₃。