| 发明名称 |
LED磊晶结构及制程 |
| 摘要 |
本发明提供一种LED磊晶结构及制程，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层。所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面。所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层。所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则空气孔洞。本发明并提供制造所述LED磊晶结构的制程。 |
| 申请公布号 |
CN102646766B |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
| 申请号 |
CN201110041286.4 |
申请日期 |
2011.02.18 |
| 申请人 |
展晶科技（深圳）有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
发明人 |
凃博闵;黄世晟 |
| 分类号 |
H01L33/10(2010.01)I;H01L33/16(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/10(2010.01)I |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
一种LED磊晶结构，包括一个基板、一个缓冲层以及一个磊晶层，所述缓冲层成长在所述基板的顶面，所述磊晶层成长在所述缓冲层的表面，其特征在于：所述磊晶层具有一个第一N型磊晶层以及一个第二N型磊晶层，所述第一N型磊晶层形成在所述缓冲层与所述第二N型磊晶层之间，所述第一N型磊晶层具有多数不规则的空气孔洞，所述不规则空气孔洞的孔径，在邻近所述缓冲层位置处的孔径较大，而在邻近所述第二N型磊晶层位置处的孔径较小。 |
| 地址 |
518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办油松第十工业区东环二路二号 |
