CMOS图像传感器及其制备方法

摘要

本申请提供了一种CMOS图像传感器及其制备方法。该CMOS图像传感器包括：半导体衬底，内部形成有多个光电二极管；介电层，形成在半导体衬底上；反光层，形成在介电层上；绝缘层，形成在反光层上；平坦化层，形成在绝缘层上；微透镜，形成在平坦化层上；多个滤光片设置槽，形成在介电层、反光层、绝缘层中相应于各光电二极管的位置；以及多个滤光片，一一对应地设置在各滤光片设置槽中。该CMOS图像传感器通过在介电层上设置反光层，避免了杂散光与衍射线串扰进入相邻的光电二极管中，使得由目标图像的光线只能够通过滤光片这一特定窗口通过滤后进而光电二极管，从而可以提高CMOS图像传感器的成像质量。

主权项

一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括：半导体衬底，内部形成有多个光电二极管；介电层，形成在所述半导体衬底上；反光层，形成在所述介电层上；绝缘层，形成在所述反光层上；平坦化层，形成在所述绝缘层上；微透镜，形成在所述平坦化层上；多个滤光片设置槽，各所述滤光片设置槽形成在所述介电层、所述反光层、所述绝缘层中相应于各所述光电二极管的位置；以及多个滤光片，一一对应地设置在各所述滤光片设置槽中。