发明名称 |
一种半导体制冷器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体制冷器件及其制造方法,包括半导体制冷片,所述半导体制冷片由上基板和下基板,以及位于上基板和下基板之间的多组P-N结半导体组成,所述上基板与下基板的空隙处填充有具有隔热绝缘作用的气凝胶层。与现有半导体制冷器件相比,本发明采用新型二氧化硅气凝胶材料,具有质量轻、不额外占用体积、抗过载能力强、稳定性高的优点;其单位功耗下的制冷效率提高10%以上,特别适用于在功率较低,而制冷要求较苛刻下的制冷设备;只增加一道灌装工序,原有生产工艺可保持不变,无需重新设计生产装备,改进成本低。 |
申请公布号 |
CN104009149A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201410255535.3 |
申请日期 |
2014.06.10 |
申请人 |
四川航天系统工程研究所 |
发明人 |
时平;张华;胡彦亮;郭峰;陈粤海;马良 |
分类号 |
H01L35/02(2006.01)I;H01L35/34(2006.01)I |
主分类号 |
H01L35/02(2006.01)I |
代理机构 |
四川省成都市天策商标专利事务所 51213 |
代理人 |
伍孝慈 |
主权项 |
一种半导体制冷器件,包括半导体制冷片,其特征在于:所述半导体制冷片由上基板和下基板,以及位于上基板和下基板之间的多组P‑N结半导体组成,所述上基板与下基板的空隙处填充有具有隔热绝缘作用的气凝胶层。 |
地址 |
610000 四川省成都市龙泉驿区航天北路工业区201号科研楼 |