发明名称 |
铝刻蚀工艺用聚焦环、铝刻蚀工艺 |
摘要 |
本发明提供了一种铝刻蚀工艺用聚焦环,通过在其内径侧壁和内径底边上形成一层能够少量吸收刻蚀气体的材料层,从而降低在晶圆边缘的等离子体浓度;进一步地,减小聚焦环内径的尺寸,从而导致在铝刻蚀工艺中晶圆边缘和聚焦环内径的间距减小,更加降低了等离子体在晶圆边缘的浓度,从而大大减小聚合物在晶圆边缘特别是边缘背面的沉积,减少了晶圆边缘聚合物剥离,提高了器件质量和良率。 |
申请公布号 |
CN104008946A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201410260820.4 |
申请日期 |
2014.06.12 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
杨涛;昂开渠;曾林华;任昱;吕煜坤 |
分类号 |
H01J37/32(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/3213(2006.01)I |
主分类号 |
H01J37/32(2006.01)I |
代理机构 |
上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 |
代理人 |
吴世华;陈慧弘 |
主权项 |
一种铝刻蚀工艺用聚焦环,其具有中空轴、内径和外径,其特征在于,所述内径侧壁表面和所述内径的底边表面具有能够吸收刻蚀气体的材料层。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号 |