| 发明名称 | 一种熔丝测试结构及硅片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种熔丝测试结构及硅片，涉及半导体器件制造领域，为解决现有技术中无法在线监控产品上熔丝相关性能的问题而设计；其中，熔丝测试结构包括：用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝，所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连。本实用新型提供的方案能够轻易测出产品上熔丝的电阻，还可以模拟客户端熔丝烧熔的情况，进而实现在线监控产品上熔丝的相关性能的目的。 | ||
| 申请公布号 | CN203800040U | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201420237723.9 | 申请日期 | 2014.05.09 |
| 申请人 | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 | 发明人 | 陈金园;黎智;谭志辉 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 许静;黄灿 |
| 主权项 | 一种熔丝测试结构，其特征在于，包括：用于测试熔丝电阻的测试结构和熔丝，所述测试结构与所述熔丝通过金属线相连；其中，所述测试结构由第一预设数量的测试端口和金属线连接而成。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区成府路298号中关村方正大厦808室 | ||