发明名称 |
半导体装置、其制造方法以及电子设备 |
摘要 |
本发明提供了一种半导体装置、其制造方法以及一种电子设备,所述半导体装置包括:第一半导体部,该第一半导体部在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,该第二半导体部在其一侧包括第二布线层,该第二布线层包括电极焊盘部,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起,使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对;导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中,且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通;绝缘膜,其布置在所述凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。 |
申请公布号 |
CN104009055A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201410190725.1 |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
索尼公司 |
发明人 |
高桥洋;梅林拓 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 |
代理人 |
李晗;陈桂香 |
主权项 |
一种半导体装置,其包括:第一半导体部,该第一半导体部在其一侧包括第一布线层;第二半导体部,该第二半导体部在其一侧包括第二布线层,该第二布线层包括电极焊盘部,所述第一半导体部和所述第二半导体部被固定到一起,使得所述第一半导体部的所述第一布线层侧与所述第二半导体部的所述第二布线层侧彼此面对;导电材料,其设置在穿过所述第一半导体部延伸到所述第二半导体部的所述第二布线层的凹槽部中,且所述第一布线层和所述第二布线层借助于所述导电材料而电连通;绝缘膜,其布置在所述凹槽部的侧壁上;以及延伸穿过所述第一半导体部以使所述电极焊盘部暴露的开口。 |
地址 |
日本东京 |