| 发明名称 | 一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法 | ||
| 摘要 | 一种具有高锗组分的锗硅沟道的PMOS的制备方法，属于半导体器件领域，尤其涉及一种提高锗硅(SiGe)PMOS沟道中锗(Ge)组分的方法，来提高器件性能。它的特征是利用氮化硅(SiN)层在硅(Si)中引入应变形成应变硅(Si)，并利用浅槽隔离区(缩写为STI)记忆应变硅(Si)中的应变，然后去掉氮化硅(SiN)层，最后在该应变硅(Si)上外延锗(Ge)组分较高的锗硅(SiGe)层作为沟道，在上制作晶体管。本发明工艺简单，与传统的MOS工艺兼容，成本较低，沟道中Ge组分提高明显，不仅适用于90纳米工艺节点以下的小尺寸器件，还可以推至0.13微米以上的较大尺寸的器件。 | ||
| 申请公布号 | CN102610530B | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201210107600.9 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 王向展;王微;曾庆平;罗谦;郑良辰;刘斌;甘程 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都科海专利事务有限责任公司 51202 | 代理人 | 盛明洁 |
| 主权项 | 一种具有高锗组分的锗硅沟道PMOS的制备方法，其特征在于：在制作PMOS期间的硅(Si)衬底上在外延锗硅(SiGe)之前，先通过氮化硅(SiN)层在Si中引入张应变，形成具有张应力的应变硅，并利用浅槽隔离区(STI)记忆应变硅中少量的张应变，然后去掉氮化硅(SiN)层，最后在该应变硅上外延锗(Ge)组分较高的SiGe层作为沟道，在其上制作PMOS器件，制备的步骤如下：步骤一：选用Si衬底，并清洗干净；步骤二：在Si衬底(1)上淀积SiO<sub>2</sub>层(2)和SiN层(3)，则在Si衬底(1)中引入少量张应力，形成张应变Si层(4)；步骤三：刻蚀出隔离区STI(5)；步骤四：在隔离区STI(5)中填充SiO<sub>2</sub>；步骤五：去掉SiO<sub>2</sub>层(2)和SiN层(3)，露出张应变Si层(4)表面；步骤六：在张应变Si层(4)上外延高Ge组分形成压应变SiGe层(6)作为PMOS器件的沟道；步骤七：在具有压应变SiGe层(6)沟道上，按标准工艺制作PMOS器件。 | ||
| 地址 | 610054 四川省成都市建设北路二段4号电子科技大学 | ||