用于蚀刻低K及其它介电质膜的制程腔室

摘要

本发明描述用于蚀刻低k及其它介电质膜的方法及制程腔室。举例而言，方法包括以等离子体制程修改低k介电层的部分。在掩模层及低k介电层的未经修改的部分上有选择地蚀刻低k介电层的经修改的部分。描述具有用于交替地产生不同等离子体的多个腔室区域的蚀刻腔室。在实施例中，在一个操作模式中提供第一电荷耦合的等离子体源以产生至工作件的离子流，而在另一操作模式中提供第二等离子体源以提供反应性物质流而无至工作件的显著离子流。控制器操作以随时间重复循环操作模式以移除期望的介电材料的累积量。

主权项

一种等离子体蚀刻腔室，包含：夹盘，所述夹盘在蚀刻制程期间支撑工作件；第一喷淋头，所述第一喷淋头设置在所述夹盘上方以分配第一馈送气体进入第一腔室区域，其中所述夹盘及所述第一喷淋头形成第一射频耦合电极对以电容激发所述第一喷淋头与所述夹盘之间的第一腔室区域内的所述第一馈送气体的第一等离子体；第二电极，所述第二电极设置在所述第一喷淋头上方，与所述夹盘相对，其中所述第二电极及所述第一喷淋头形成第二射频耦合电极对以使所述第一喷淋头与所述第二电极之间的第二腔室区域内的第二馈送气体的第二等离子体进行电容放电；以及控制器，所述控制器在所述蚀刻制程期间通过交替地自动供电所述第一射频耦合电极对与所述第二射频耦合电极对来交替地激发所述第一等离子体与所述第二等离子体。