| 发明名称 | 溅射靶材 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种溅射靶材，其在通过溅射法形成配线膜的过程中，一边抑制由溅射导致的异常放电，一边可实现高速成膜。溅射靶材由在4N(99.99％)以上的无氧铜中添加了银的铜合金形成。微量添加银，使得所形成膜的电阻率与无氧铜的电阻率等同。银的添加量优选为200～2000ppm的范围。 | ||
| 申请公布号 | CN102102182B | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201010584455.4 | 申请日期 | 2010.12.07 |
| 申请人 | 株式会社SH铜业 | 发明人 | 辰巳宪之;井坂功一;本谷胜利;小田仓正美;外木达也 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C22C9/00(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 钟晶;李昆岐 |
| 主权项 | 一种溅射靶材，是在4N，即99.99％以上的无氧铜中添加了200～2000ppm的银的溅射靶材，其特征在于，通过溅射面的X射线衍射的峰强度测定而求出的(220)面的取向比率与(111)面的取向比率之比(220)/(111)为6以下，表示该值的偏差程度的标准偏差为10以内，且平均晶粒粒径为30～100μm。 | ||
| 地址 | 日本茨城县 | ||