| 发明名称 | 一种半导体器件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103：在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104：在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105：对所述多晶硅层进行CMP，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分；步骤S106：对所述停止层进行CMP，去除所述停止层。该方法通过在多晶硅层内部形成停止层，使得可以利用光学端点控制的方法对多晶硅层进行CMP，因而可以很好地控制经过CMP处理后保留的多晶硅层的厚度和均一性。 | ||
| 申请公布号 | CN104008967A | 申请公布日期 | 2014.08.27 |
| 申请号 | CN201310057964.5 | 申请日期 | 2013.02.25 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 程继;陈枫 |
| 分类号 | H01L21/321(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/321(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供包括浅沟槽隔离和鳍片的半导体衬底；步骤S102：在所述半导体衬底上形成栅极绝缘层；步骤S103：在所述栅极绝缘层上形成多晶硅层；步骤S104：在所述多晶硅层的内部形成停止层；步骤S105：对所述多晶硅层进行化学机械抛光，去除所述多晶硅层位于所述停止层上方的部分；步骤S106：对所述停止层进行化学机械抛光，去除所述停止层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||