发明名称 |
半导体器件 |
摘要 |
本公开的实施例涉及多个半导体芯片,每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。 |
申请公布号 |
CN104008980A |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN201410060022.7 |
申请日期 |
2014.02.21 |
申请人 |
英飞凌科技股份有限公司 |
发明人 |
G·贝尔;T·基尔格;D·迈尔;U·瓦赫特 |
分类号 |
H01L21/56(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京市金杜律师事务所 11256 |
代理人 |
王茂华;张宁 |
主权项 |
一种用于制作半导体器件的方法,所述方法包括:提供多个第一半导体芯片,所述第一半导体芯片中的每个第一半导体芯片包括第一主面以及与所述第一主面相对的第二主面;在所述第一半导体芯片的所述第二主面之上施加第一包封层;在所述第一半导体芯片的所述第一主面之上施加电布线层;在所述电布线层之上施加第二包封层;减小所述第一包封层的厚度以及所述第一半导体芯片的厚度;以及单片化以获得多个半导体器件。 |
地址 |
德国诺伊比贝尔格 |