集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法

摘要

本发明涉及一种集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构及制作方法，包括晶圆级封装芯片和IPD芯片；所述IPD芯片包括玻璃基板，玻璃基板正面设置IPD器件和金属布线层；在所述玻璃基板的背面刻蚀形成TGV孔，在玻璃基板的背面和TGV孔内表面设置背面金属布线层，在背面金属布线层的焊盘上设置焊球，焊球与PCB板连接。所述三维堆叠结构的制作方法，包括以下步骤：（1）将晶圆级封装芯片和玻璃基板的IPD芯片进行堆叠；（2）在IPD芯片背面刻蚀TGV孔，在玻璃基板背面制作背面金属布线层；（3）将背面金属布线层刻蚀成绝缘的两部分；在两部分背面金属布线层上制作焊盘和焊球，通过焊球连接PCB板。本发明实现芯片和IPD器件之间的短距离互连，提升了电学质量。

主权项

一种集成无源器件晶圆级封装三维堆叠结构，包括晶圆级封装芯片（2）和IPD芯片（3）；其特征是：所述IPD芯片（3）包括玻璃基板（4），在玻璃基板（4）的正面设置IPD器件（5）和连接IPD器件（5）的金属布线层（6），金属布线层（6）与晶圆级封装芯片（2）的芯片信号端口（11）连接；在所述玻璃基板（4）的背面刻蚀形成TGV孔（7），TGV孔（7）直达金属布线层（6）；在所述玻璃基板（4）的背面和TGV孔（7）的内表面设置背面金属布线层（8），背面金属布线层（8）分为相互绝缘的两部分，该两部分背面金属布线层（8）分别与金属布线层（6）连接，并分别在两部分背面金属布线层（8）的焊盘（9）上设置焊球（10），焊球（10）与PCB板（1）连接。