发明名称 发光器件和发光器件封装
摘要 本发明涉及发光器件和发光器件封装。根据实施例的发光器件包括:第一电极;第一电极上的发光结构,该发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;发光结构上的第二电极;以及控制开关,该控制开关被安装在发光结构上,以控制发光结构。
申请公布号 CN102222741B 申请公布日期 2014.08.27
申请号 CN201110062313.6 申请日期 2011.03.11
申请人 LG伊诺特有限公司 发明人 丁焕熙;李尚烈;宋俊午;崔光基
分类号 H01L33/04(2010.01)I;H01L33/32(2010.01)I;H01L33/42(2010.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I 主分类号 H01L33/04(2010.01)I
代理机构 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人 夏凯;谢丽娜
主权项 一种发光器件,包括:第一电极;所述第一电极上的发光结构,所述发光结构包括第一半导体层、有源层以及第二半导体层;所述发光结构上的第二电极;以及所述发光结构上的控制开关,用以控制所述发光结构,所述控制开关包括:主体,所述主体包括第一掺杂物;所述主体上的源极区域和漏极区域,所述源极区域和所述漏极区域包括第二掺杂物;在所述源极区域和所述漏极区域之间的主体上的栅极绝缘层;以及所述栅极绝缘层上的栅极电极,其中,所述控制开关的主体直接设置在所述第二半导体层的顶表面上,并且所述第一电极设置在所述第一半导体层的底表面上,其中,所述有源层与所述栅极绝缘层垂直地重叠。
地址 韩国首尔