发明名称 |
掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体、其制备方法及其变频器件 |
摘要 |
本发明涉及人工晶体领域,尤其涉及低温相偏硼酸钡掺杂单晶体及其生长方法和变频器件。采用熔盐法生长。该单晶完全克服了BBO潮解性强的缺点,几乎不潮解;其倍频效应和光损伤阈值相对于BBO有较大提高;硬度显著增大,该单晶体的肖氏硬度为101.3,莫氏硬度为6,而BBO的肖氏硬度为71.2,莫氏硬度为4。从可见一紫外光区透过率曲线测试,该单晶体的截止波长为190nm,开始吸收波长为205nm。这些优于BBO的性能,可能使BBSAG在激光非线性光学领域、紫外、深紫外变频器件方面,有广阔的前景。 |
申请公布号 |
CN102076892B |
申请公布日期 |
2014.08.27 |
申请号 |
CN200880129907.0 |
申请日期 |
2008.10.08 |
申请人 |
中国科学院福建物质结构研究所 |
发明人 |
陈长章;洪茂椿;李定;林海南;蔡诗聪 |
分类号 |
C30B29/22(2006.01)I;C30B15/00(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;H01S3/16(2006.01)I |
主分类号 |
C30B29/22(2006.01)I |
代理机构 |
北京元中知识产权代理有限责任公司 11223 |
代理人 |
王明霞 |
主权项 |
一种掺杂的低温相偏硼酸钡单晶体,为β‑BBO掺杂至少一种选自元素Si、Al、Ga或者其一种以上的组合的单晶体,该单晶体的化学式为Ba<sub>1‑x</sub>B<sub>2‑y‑z</sub>O<sub>4</sub>‑Si<sub>x</sub>Al<sub>y</sub>Ga<sub>z</sub>,其中0<x≤0.15,0≤y≤0.10,0≤z≤0.04。 |
地址 |
350002 中国福建省福州市杨桥西路155号 |