在单元区域中带有额定击穿电压的超级结半导体器件

摘要

本发明涉及在单元区域中带有额定击穿电压的超级结半导体器件。一种超级结半导体器件包括在具有第一和第二、平行表面的半导体本体中形成的超级结结构。该超级结结构包括第一导电类型的第一区域和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二区域。在由边缘区域包围的单元区域中，超级结结构具有在第一部分中的第一额定击穿电压和在第二部分中的、不同于第一额定击穿电压的第二额定击穿电压，以提供改进的雪崩强度。

主权项

一种超级结半导体器件，包括：在半导体本体中形成的超级结结构，所述半导体本体具有第一表面和平行于所述第一表面的第二表面，所述该超级结结构包括第一导电类型的第一区域和与第一导电类型相反的第二导电类型的第二区域；和直接地邻接所述第一表面的第一电极结构和直接地邻接所述第二表面的第二电极结构，其中所述超级结半导体器件被配置为承受在单元区域中主要地沿着垂直于所述第一表面的竖直方向并且在包围所述单元区域的边缘区域中主要地沿着横向方向在第一和第二电极结构之间施加的电压，其中所述超级结结构具有在所述单元区域的第一部分中的第一额定击穿电压和在所述单元区域的第二部分中的第二、更低的额定击穿电压。