电子照相用构件、处理盒和电子照相设备

摘要

本发明提供一种能够更可靠地抑制C永久变形图像发生的电子照相用构件。该电子照相用构件具有包含具有由下式(1)所示结构的改性聚硅氧烷的表面层。在式(1)中，G表示包含由式(-O-C₂H₄-)所示的氧化乙烯链的二价基团，和L表示至少具有SiO_4/2(Q)单元或SiO_3/2(T)单元的聚硅氧烷。

主权项

一种电子照相用构件，其包括表面层，其中，所述表面层包含具有下式(1)所示结构的改性聚硅氧烷：其中，在式(1)中，G表示具有由(‑O‑C₂H₄‑)表示的氧化乙烯链的二价基团；R1表示选自由下式(2)和(3)所示基团组成的组的基团；L表示至少具有SiO_4/2(Q)单元或SiO_3/2(T)单元的聚硅氧烷；和R2表示选自由下式(4)和(5)所示单价基团组成的组的单价基团：其中，在式(2)中，j和k各自独立地表示0或1；R3表示二价连接基团；符号“*”表示与由L表示的聚硅氧烷中的硅原子的结合部位；和符号“***”表示与由G表示的氧化乙烯链中的氧原子的结合部位，其中，在式(3)中，p1、p2和q各自独立地表示0或1；R₆表示二价连接基团；符号“*”表示与由L表示的聚硅氧烷中的硅原子的结合部位；和符号“***”表示与由G表示的氧化乙烯链中的氧原子的结合部位，其中，在式(5)或式(6)中，R7、R8、R10、R12和R14各自独立地表示氢原子、具有1‑10个碳原子的烷基、苯基、具有1‑10个碳原子的烷氧基或苯氧基；R9、R11和R13各自独立地表示二价连接基团；和符号“**”表示与由L表示的聚硅氧烷中的硅原子的结合部位。